集成版图实验课笔记 | Skjaldbaka1's blog

Liunx系统命令行指令

命令行指令	作用
`pwd`	查看当前处于什么路径
`ls`	查看cp所在路径文件夹下文件
`cd [路径]`	进入你输入的路径
`cat`	读取文件内容
`cp [源文件/目录] [目标位置]`	复制文件到另一处
`mkdir [新目录名字]`	创建新目录

注意表中的[ ]中在输入命令的时候不加[ ]直接加路径

文件解释

输入cat cds.lib后输出的该文件的内容

文件cds.lib其实类似于地图，指引软件找到运行在服务器上的运行所需要的文件，下面运行的Virtuoso软件也是依赖lib运行

打开Virtuoso软件

输入virtuoso &注意一定要小写，打开Virtuoso软件，点击最上一栏tools—Library Manager即可查看当前软件里的所有库

现在双击图最右侧的layout，即可查看Nmos版图

版图认知

图中

SN N型参杂区
PN P型参杂区

右边两个蓝色正方形中间的即是Nmos版

最绿色正方形为P参杂的与地相接

左边第一个红色S极
第二个蓝色长方形是G端
第三个是D端

所有Mos都做在P-sub上面，Nmos做在N陷里

Virtuoso软件快捷键

快捷键	作用	快捷键	作用
I	打开添加一个元器件界面，之后点击版图可以添加你选择元器件	C	复制图形，再按F3可以选择复制的方式
P	打开添加一个电源，地界面，之后点击版图可以添加你选择源地	L	命名
F	将元器件整体在版图视角居中	Pmos	W为440nm
W	开启布线模式
R	用于画各种版图
Q	显示并可以修改图形的四边坐标
O	打孔
A	将图形的边和边对齐
M	移动图形，再按F3可精确控制移动距离

一个结点最多链接三根线

一切结束后点击左边第三个Check and Save保存设计的版图

PMOS版图

在绘制版图的时候应从内向外绘制，并遵守DRC规则；在以后绘制反相器时，PMOS应靠近VDD，NMOS靠近GND

Virtuous软件版图对应

版图区域	对应软件层名称
有源区	AA
栅电极	GP
P注入	SP
N注入	SN
N阱	NW
接触孔	CT
金属	M1

DRC规则英文单词解释

在DRC文件中语法会加上以下单词告知某些部件的尺寸

现在就可以开始绘制一个PMOS

1.绘制有源区：在左边Layers栏选择AA，按R在图中随便绘制一个正方形，再选择绘制的红色正方形按Q即可修改它的属性，在这里Bottom和Top分别是正负0.22，Right和Left暂时不管

2.绘制栅极：再在Layers选择GP，按照步骤1中修改Right和Left分别为正负0.18，长暂时不管

3.修改有源区宽度：符合RAC中AA只能延申出GP0.32，故AA的Right和Left应该为0.32

4.绘制接触控：孔的最小尺寸是0.22，两个孔的相邻最小间距为0.25，但若孔的个数大于3个时，最小间距为0.28，按O在Via Definition中选择M1_AA，选择两行一列如下图

在版图中在点击即可画出M1_AA的矩形，选择这矩形按Shift+F即可显示内部实际版图，再按M即可移动，按A可以对齐边，将两个孔对齐

5.绘制P注入区：只需要覆盖有源区，注意与有源区的所有边界都为0.18，按Q调整将AA的边界加上0.18，Right和Left为0.75，Bottom和Top为0.625

再绘制中间的参杂区Right和Left为0.41，Bottom和Top为0.695

6.绘制衬底：按O修改参数为一行三列，同过M先把它置于X轴和Y轴对称来方便测量长度，注意AA边界与SN的边界仍然为0.18，再者通过M+F3让上面蓝色SN和下面SP间隔为0.08

7.绘制N阱：上面边界与蓝色SN平齐，下左右边界间隔都是0.25

把PMOS变为NMOS

1.复制：用C+F3复制在弹出的界面中选择下图的Upside dowm

再把最外面的N+注入选中后删除，得到一个上下对称的

2.替换：选择上图下面NMOS的中黄色SP区域，按Q再弹出的界面中将SP drawing换成SN，同理SN区域换成SP

3.修改宽长比：将复制过来的原本PMOS的宽长比修改成NMOS的如下图修改Bottom和Top

4.链接成反相器：先将鼠标移动最小距离修改成0.01，点击软件上方栏的Options-Display将下图红色框中修改为0.01

现在就可以开始链接金属线0

按P将栅极和栅极链接再一起
按P后F3将线宽修改成034，将PMOS右边的下面的金属孔和NOS右边上面的金属孔链接在一起
画出一段金属线作为GND
将PMOS左边上面的孔链接到上面三个孔的最左边，中间孔链接倒上面的GND
按O打一个新通孔，选择M1_GP，如图放置并连线
按L将Patten改为VDD，Height改为0.3，图层改成M1，放置并关联后按Q修改名字，如图关联四个

画与或器

将原先的PMOS layout复制一份倒Nand
然后按C选中原先PMOS的右半部分，复制后按A对齐得到
修改P区宽度，Right变为2倍
打孔，按O修改成1行5列将新的替换旧的3列并想办法对齐，注意一定要把M1_AA改成M1_SN
复制镜像对称，参考上面几步
重复上面最后几步

如何把丢失的库找回来

1.创建一个新的库：在软件的左上角File-New-Library，创建任意一个名字的新库如hxy11

2.将新创建的库链接到丢失的库：在软件左上角点击Edit-Library Path

在第一步骤中我们创建的新库名字是hxy11，要把新创建的库链接到丢失的库，要修改下图中红色框中是库指向的路径

将新创建的库原来的路径/home/student20/huxinyinglayout/hxy11中的hxy11改为我们要链接的库huxinying0923即/home/student20/huxinyinglayout/huxinying0923 在点击软件左上角的File-Save即可退出，此时我们就找回了我们的旧库